Shenzhen Keruna Photoelectric Co., Ltd.

ΟΛΕΣ ΟΙ ΚΑΤΗΓΟΡΙΕΣ

IC-E High-Exposure Douplicates;

2

Ενότητα IGBT 1700V 1100A: Προδιαγραφές και λεπτομέρειες
1

VS-150MT060WDF-P: 600V 138A Module IGBT με βαθμολογία πίεσης 12MTP
2

CM600HU-12F Ενότητα IGBT 600V 600A 1420W: Μετατροπείς υψηλής ισχύος για προηγμένες εφαρμογές
1

CP25TD1-24A ΜΟΝΑΔΑ IGBT 1200V 25A: Προδιαγραφές και λεπτομέρειες
2

APT GT200DU60TG ΜΟΝΑΔΑ IGBT - 600V, 290A, 625W, SP4: Μετατροπείς υψηλής ισχύος και μονάδες δίσκου
2

Χαμηλή ισχύς ECONO F4100R17N3E4BPSA1 κινητήρα: αποτελεσματική απόδοση σε συμπαγή σχεδιασμό
2

Υψηλή μονάδα IGBT 1200V 600A για εφαρμογές 20MW
1

BSM75GD120DLCBOSA1 ΜΟΝΑΔΑ IGBT 1200V 125A 500W: Λεπτομερείς πληροφορίες και προδιαγραφές
1

Μονάδα IGBT 600V 10A 66W 25PMAA: FMS6G10US60 - Μονάδα μετατροπέα υψηλής ισχύος για βιομηχανικές εφαρμογές
2

CM600HU -24F Μονάδα IGBT: 1200V, 600A, 2400W - Τεχνικές προδιαγραφές και πληροφορίες
1

SBX2040-3G Δίοδος Schottky 40V 20A 5.4x7.5 Κάτω θερμική προδιαγραφή
1

Υψηλής ποιότητας δίοδος S5T - Standard SMC, 1300V, 5A: Προδιαγραφές και εφαρμογές